匹配。在 GaAs 上生长的高质量(Al xGa 1-x) 0.5In 0.5P薄膜是半导体照明中重要的异质结构材料。 2、直接带隙到间接带隙的转变出现在 x=0.65 ,对应于带隙能量2.3eV ,因此能得到 656nm 到540nm 范围内的光发射。用它制成的发光二极管得到了可见光中最高的发光效率,在 614nm 达到108lm/W 。 3、通常, n型掺杂可用 Te或Si作为施主而实现, p型掺杂的典型受主是 Zn和Mg。 4、生长这种四元化合物的成熟技术是金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 。半导体照明技术六、铟镓氮 1、铟镓氮是直接跃迁结构,带隙宽度的整个范围为 1.95(636.6nm)-3.4(365nm)eV ,覆盖了整个可见光谱。 2、铝镓铟氮的带隙宽度更宽,在 1.95-6.2eV 之间,因此, GaN 及有关化合物半导体(AlGaN 、InGaN 等)是认为在短波长 LED 方面最有前途的材料。 3、AlGaInN 材料体系的二元、三元和四元化合物在整个摩尔比范围内都有直接带隙,非常适合做成高效的发光二极管。 AlGaInN 材料的主要生产技术是 MOCVD 。 4、AlGaInN 中典型的 n型杂质是 Si,最适合的 p型杂质为 Mg。半导体照明技术第六章半导体照明光源的发展和特性参量在1999 年照明界提出了开发 21世纪新光源的宏伟目标, 主要目标是: 1、研究高效、节能、新颖光源。 2、研究照明工业新概念、新材料,防止使用有害于环境的材料。 3、设计模拟自然光的理想白色光源,显色指数接近 100 。实现这一目标的意义: 1、减少全球照明用电量的 50% ,全球节电每年达 1000 亿美元,相应的照明灯具 1000 亿美元。 2、免去超过 125GW 的发电容量,节省开支 500 亿美元。 3、减少二氧化碳、二氧化硫等污染废气 3.5 万亿吨。
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