隙和禁带中存在的陷阱能级及表面态能级密切相关。3无机半导体材料的分类无机半导体元素半导体化合物半导体4典型的元素半导体有锗、硅、硒和碲,它们位于周期表中Ⅳ族和Ⅵ族。化合物半导体种类很多,包括周期表中的第Ⅲ族元素(Ga、In)和Ⅴ族元素(P、As、Sb)形成的二元化合物AⅢBⅤ,GaAs、GaP、InP等;周期表中第Ⅱ族元素和第Ⅵ族元素形成的二元化合物AⅡBⅥ、ZnTe、ZnSeZnO、CdS、CdTe;周期表中Ⅳ族元素和Ⅵ族元素AⅣBⅥ,PbS,PbTe、SnTe;Ⅵ族元素O、S、Se、Te与Ⅰ~Ⅴ族元素形成的化合物Cu2O、Bi2Te3;Ⅵ族元素与过渡元素和稀有元素形成的化合物,TiO2、WS2、NiO、MoSe、WO3。5半导体本征半导体掺杂半导体6本征和掺杂半导体本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成带正电的空位,称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子-空穴对,均能自由移动,即载流子,它们在外电场作用下产生定向运动而7形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电,这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。本征半导体的导电性能与温度有关,半导体材料性能对温度的敏感性,可制作热敏和光敏器件,又造成半导体器件温度稳定性差的原因。掺杂半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,可得到杂质半导体。8大家有疑问的,可以询问和交流可以互相讨论下,但要小声点9一、半导体的导电特性价电子+4空穴自由电子abc+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键的两个价电子(a)硅和锗原子的简化结构模型(b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生图1-1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图210
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