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电化学原理-第十章-半导体电化学与光电化学基础简

上传者:苏堤漫步 |  格式:ppt  |  页数:20 |  大小:379KB

文档介绍
第十章半导体电化学与光电化学基础Р10.1半导体的基本性质Р10.1.1半导体的能带结构简介Р1、半导体中的能带结构及载流子种类Р图10.1价带、导带和禁带Р能带Р价带Р导带Р禁带Р能带Р⑴半导体中的能带结构Р图10.2价带中的电子被激发到导带Р⑵半导体中的载流子Р②空穴Р①电子Р图10.3施主能级和受主能级Р(a)施主与N型半导体的能带Р(b)受主与P型半导体的能带Р+Р+Р+Р+Р导带中电子浓度为:Р导带中的有效状态密度Р半导体载流子的浓度积为:Р价带中空穴浓度为:Р价带中的有效状态密度Р1、本征半导体的费米能级与载流子浓度Р本征半导体的电子浓度与空穴浓度相等,即满足Р本征半导体的费米能级Р(a)本征半导体能带结构Р本征半导体的载流子浓度

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