Dpqj? PN结的正向电流即为上述两电流之和: )1-(1-)( /0 / kT qV kT qV p pnn np f fejeL DpL Dnqj???) ( 通常情况下 PN结的正向电流-电压关系可近似为: kT qV fejj /0??只要 PN结处于正向导通的状态,结上的正向偏压就具有大体确定的值, 此值称为 PN结的导通电压,也称正向压降。?虽然通过 PN结的正向电流大小不同, 而正向电压却能大体保持不变( 指数变化规律的原因)。?禁带宽度不同的半导体材料制成的 PN结,导通电压的数值范围是不一样的(如图);这实际是反映了少子浓度对 PN结正向电流的影响。(材料的禁带宽度越大,平衡时的少子浓度就越小,因此为了通过同样大的电流,就必须有更大的正向电压。) PN结正向电流如何实现电子电流与空穴电流的转变? ?分析从 N区进入到 P区的电子电流。电子从左到右穿过 N区时是多子漂移电流,跨过空间电荷区,进入到 P区就成为非平衡载流子,以扩散形式运动,在扩散中,它们将先后复合,逐渐减少,最后消失。但是, 复合并不意味着电流的中断,而是通过电子-空穴的复合而转换成 P区的空穴电流。?注入 P区的电子扩散电流随距离按指数下降,空穴漂移电流则相应地不断增大, 而两者之和在任何截面上都是相等的。 nj 3.1.3 PN 结的反向抽取?反向偏压时,外电场方向与自建场方向相同,增强了空间电荷区的电场,载流子的漂移运动超过了扩散运动。此时 N区的空穴一旦达到空间电荷区边界,就要被电场拉向 P区, P区的电子一旦到达空间电荷区的边界,也要被电场拉向 N 区,这种现象称为反向抽取。以上运动构成了 PN结的反向电流,电流方向由 N区流向 P区。 N区和 P区间的电势差由原来的 V 0变成( V 0+V r),位垒高度升高到 q(V 0+Vr). 此时 P区的费米能级比 N区高 qV r。
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