《场效应晶体管》PPT课件

VGS|=VP,导电沟道被全夹断(b)0<VGS<VPVGS耗尽层变宽VGS控制导电沟道的宽窄,即控制ID的大小。VP(VGS(OFF)):夹断电压工作原理(2)VDS对导电沟道的影响:VDS>0,但|VGS-VDS|<|VP|.VDS增加,d端电位高,s端电位低,导电沟道内存在电位梯度,所以耗尽层上端变宽。VDSIDID工作原理(b)|VGS-VDS|=|VP|时,导电沟道在a点相遇,沟道被夹断。VGS=0时,产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSSID工作原理(c)VDS夹端长度场强大ID=IDSS基本不变。IDJ型场效应管的工作原理动画3.特性曲线VDS=10V时的转移特性曲线IDSS是在VGS=0,VDS>|VP|时的漏极电流当|vGS-vDS||vP|后,管子工作在恒流区,vDS对iD的影响很小。实验证明,当|vGS-vDS||VP|时,iD可近似表示为:特性特性2§1.4.2绝缘栅型场效应管(InsulatedGateFieldEffectTransistor)绝缘栅型场效应管IGFET又称金属氧化物场效应管MOSFET(MetalOxideSemiconductorFET)是一种利用半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻可达1015。增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,?在VDS作用下无iD。耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,?在VDS作用下有iD。1.N沟道增强型MOSFET浓度较低的P型硅SiO2薄膜绝缘层两个高掺杂的N型区从N型区引出电极作为D和S在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为GD(Drain):漏极,相当cG(Gate):栅极,相当bS(Source):源极,相当eB(Substrate):衬底结构动画(1)结构和符号