模拟电子技术-第六版-第4章-场效应三极管及其放大电路

FET放大电路?4.7 多级放大电路?4.8 结型场效应管(JFET)及其放大电路?*4.9 砷化镓金属-半导体场效应管?4.10 各种FET的特性及使用注意事项Р场效应管的分类:РP沟道Р耗尽型РP沟道РP沟道РN沟道Р增强型РN沟道РN沟道Р(耗尽型)РFETР场效应管РJFETР结型РMOSFETР绝缘栅型Р(IGFET)Р耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在Р增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道Р4.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应三极管Р4.1.1 N沟道增强型MOSFET?4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET?4.1.3 P沟道MOSFET?4.1.4 沟道长度调制等几种效应?4.1.5 MOSFET的主要参数Р4.1.1 N沟道增强型MOSFETР1. 结构РL :沟道长度РW :沟道宽度Рtox :绝缘层厚度Р通常 W > LР4.1.1 N沟道增强型MOSFETР剖面图Р符号Р1. 结构Р4.1.1 N沟道增强型MOSFETР(1)VGS对沟道的控制作用Р当VGS≤0时Р无导电沟道, d、s间加电压时,也无电流产生。Р当0 <VGS <VTN 时Р产生电场,但未形成导电沟道(反型层),d、s间加电压后,没有电流产生。Р2. 工作原理Р4.1.1 N沟道增强型MOSFETР当VGS >VTN 时Р在电场作用下产生导电沟道,d、s间加电压后,将有电流产生。РVGS越大,导电沟道越厚РVTN 称为N沟道增强型MOSFET开启电压Р(1)VGS对沟道的控制作用Р2. 工作原理Р必须依靠栅极外加电压才能产生反型层的MOSFET称为增强型器件Р2. 工作原理Р(2)VDS对沟道的控制作用Р靠近漏极d处的电位升高Р电场强度减小Р沟道变薄Р当VGS一定(VGS >VTN )时,РVDSРIDР沟道电位梯度Р整个沟道呈楔形分布