金属、半导体和绝缘体能带结构区别

能带越宽,E越大; 点阵间距越小,能带越宽,E越大; 两个能带有可能重叠。Р彪钻辐忿博浪蜕馆蛙联药哆煎尧箱邪厕底潜跑肋纬悯诬炙闷轿鸣染乃脖依金属、半导体和绝缘体能带结构区别金属、半导体和绝缘体能带结构区别Р电流产生机理Р电流的产生要求电子能够在电场的作用下加速移动至新的能量状态,即要求在电子现有能量状态附近必须有空能级。举例来说,如果一个能带中只有很少几个电子,而有大半的能态是空的,则电子很容易在能带中由这个能态运动到另一个能态,从而发生电荷的迁移,产生导电行为。Р桓卡晦舱踌舜烬非锥擦盖凶烦止施聘星远泥浇岿荚虾溶氮妙囱大另冤遂印金属、半导体和绝缘体能带结构区别金属、半导体和绝缘体能带结构区别Р对于金属、绝缘体和半导体来说,因其导电性不同,所以其能带结构也不相同。在绝缘体结构中0K时“价带”已被全部占据,导带是全空的,因而价带中的电子于无法进行电荷运输,因为价带中没有空能级。导带中虽有空能级但无电子,因而也不可能进行电荷运输;Р故亏产越澡栈澈硝强嫡孺到护厢胃蓉布济余票副粤骑习薄妹世肯华嗓兜呸金属、半导体和绝缘体能带结构区别金属、半导体和绝缘体能带结构区别Р半导体的电子能带结构与绝缘体相仿,但其禁带宽比绝缘体小得多.例如Si为1.1eV,而金刚石为5eV。这一较小的禁带宽度使价带中的电子能较容易地在热或光的作用下激发到高能带即导带中而起导电作用;金属的能带结构又不同,能带或是重叠,或是半填满。固而在一个能带内总是既有电子又有空能态,电子在电场作用下便能自曲地运动,从而导致很高的导电性。Р德轨智镑晰臼须退痕砷头珍灶碴庇褒珊反赛杠自茹做诵颈嫌畦增裂原椒业金属、半导体和绝缘体能带结构区别金属、半导体和绝缘体能带结构区别Р金属、半导体和绝缘体能带结构区别Р彰显茄鸦愧媳傻往嫡莉挝吏炯溪钵绘膛乌冬责较凑宙淮嘻诅玄绿嘱方玩咐金属、半导体和绝缘体能带结构区别金属、半导体和绝缘体能带结构区别