-2LD,则РCopyright for zhouqnР2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA,计算NMOS和PMOS的跨导和输出阻抗,以及本证增益gmro?解:本题忽略侧向扩散LDР1)NMOSР2)PMOSРCopyright for zhouqnР2.3 导出用ID和W/L表示的gmro的表达式。画出以L为参数的gmro~ID的曲线。注意λ∝LР解:РCopyright for zhouqnР2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参数;b)以VBS为参数,并在特性曲线中标出夹断点Р解:以NMOS为例Р当VGS<VTH时,MOS截止,则ID=0Р当VTH<VGS<VDS+VTH时,MOS工作在饱和区Р当VGS>VDS+VTH时,MOS工作在三极管区(线性区)РCopyright for zhouqnР2.5 对于图2.42的每个电路,画出IX和晶体管跨导关于VX的函数曲线草图,VX从0变化到VDD。在(a)中,假设Vx从0变化到1.5V。(VDD=3V)Р(a)Р上式有效的条件为Р即РCopyright for zhouqnР(a)综合以上分析РVX>1.97V时,M1工作在截止区,则IX=0, gm=0РVX<1.97V时,M1工作饱和区,则РCopyright for zhouqnР(b) λ=γ=0, VTH=0.7VР当0<VX<1V时,MOS管的源-漏交换Р工作在线性区,则Р当1V<VX<1.2V时,MOS管工作在线性区РCopyright for zhouqnР当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区РCopyright for zhouqnР(C) λ=γ=0, VTH=0.7VР当VX<0.3V时,MOS管的源-漏交换,工作在饱和区Р当VX≥0.3V时,MOS管工作截止区РCopyright for zhouqn
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