作,如南京大学、华南师范大学、复旦大学、浙江大学、厦门大学、西安交大、中国电子科技集团公司第55所等单位,对AlGaInP和GaN基的LED发展起到很大的推动作用。我国在金属有机源方面,“863”多年的支持,已经取得成效,建立了诸如江苏南大高科这样专门生产金属有机源的厂家,并已经开始生产和销售。大连的高纯氨也开始向科研和生产厂家供货。Р(2)国内半导体设备方面: 目前国内从事半导体设备研制生产的主要力量有:①信息产业部有几个专门从事设备研发的单位,如:48所、45所等,但受体制的约束缺乏竞争能力,目前处于仿制国外产品,处在研究阶段。Р②国内有些研究所(如中科院半导体研究所、中科院微电子所、清华微电子所等)针对国内市场开发了MOCVD生长系统、ICP刻蚀机、磁控溅射设备、快速退火炉、接触式光刻机等,这些设备的研究开发人员有较好的器件工艺背景,研制的设备比较实用。③民间资本已投身于半导体仪器设备研究和市场开发。研制生产出LED后封装用研磨抛光机、晶片扩张机、压焊机、灌胶机、离膜机、LED光色电综合测试系统、LED光强分布测试仪、LED电参数测量分析仪等。Р(3)外延片和芯片方面:国内外延片和芯片生产厂家均是沿用1990年代中期国外的常规结构,其发光效率受常规芯片结构取光效率的限制,主要取决于外量子效率的提高,在高外量子效率芯片的生产技术方面,国内有较大的差距。我国超高亮度LED上游、中游(外延片和芯片)产业的起步阶段,制造的技术几乎都来源于科研院所和学校多年积累的科研成果;最近几年有些公司才开始引进海外归来学子或通过收购外国公司作为技术来源。Р国内GaN基LED芯片主要指标Р芯片种类Р波长(nm)РLED功率(mW)Р寿命(万小时)Р蓝光Р460-480Р3~5Р1~5Р绿光Р505Р1~2Р>1Р紫外Р380-405Р3~4Р1~5Р国内己实现销售芯片或具备生产条件的制造公司