。量测 Lep=6.1uH, Q1 为2611 查规格书可得 Coss=190pF ( Coss 近似等于 Cds ),而此充电板为两个管子并联,所以 Cds=380pF 。由上式可求得 f =3.3 MHz , 和右图中的振荡频率吻合。从图中可看出此振荡是一衰减的振荡波, 其初始的振荡峰值决定于振荡电路的 Q值: Q值越大,峰值就越大。 Q值小,则峰值小。为了减小峰值,可减小变压器的漏感 Lep ,加大 Cds 和电路的阻抗 R。而加入 Snubber 电路是极有效之方法。 R C LQ?8 Q1 振荡 1形成的共模电流路径共模电流路径(以 Cds 为考察对象) 9 Q1 振荡 1形成的差模电流路径差模电流路径(以 Cds 为考察对象) 10 2.3.3 Q1 振荡 2形成机理振荡 2 发生在 Mosfet Q1 关断,副边二极管由通转向关断,原边励磁电感被释放( 这时 Cds 被充至 2 Vc1) , Cds 和原边线圈的杂散电容 Clp 为并联状态,再和原边电感 Lp ( 励磁电感和漏感之和)发生振荡。放电回路同振荡 1。振荡频率为: )(2 1 Clp Cds Lp f???在 Lp 上的振荡电压 Vlp 迭加在 Vc1 上,致使 Vds =Vc1+ Vlp 。量测 Lp =0.4mH ; Q1 为 2611 ,查规格书可得 Coss =190pF ( Coss 近似等于 Cds ), 而此充电板为两个管子并联, 所以 Cds =380pF ; Clp 在 200 KHz 时测得为 Clp =1.6nF 。由上式可求得: f =178.6KHz , 和右图中 190.5 K吻合。振荡 2产生的共模差模 noise 的路径: 振荡 2 同样将产生共模、差模 noise , 其路径和振荡 1的分析相同,在此略去。(请参照振荡 1的分析) Q1 上 Vds
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