退极化场将使极化不稳?停止了IBM所有铁电薄膜的工作Р*Tilley & Zeks?Solid m. 49,823,1984?分析了Pr随Z的关系, 重新研究开始?To低于体材料,存在一最小的d值Р铁电存储器的发展Р非挥发铁电随机存取存储器(NVFeRAM)和铁电动态随机存取存储器(DRAM)是近十年来发展最快的存储器之一。Р铁电薄膜存储器具有体积小、重量轻,耐辐射,使用电压低,易与硅集成等优点,是当前与半导体、磁存储器并列的重要的存储器之一。近五年来已逐渐走向商业化。低密度的存储器已大量在IC卡、Smart卡中使用Р 1980年代NvFeRAM发展动力来自美国军方.Р美军用飞机使用的非挥发存储器?[原图来自North America Defence Center(NDAC)1988]Р军用飞机中使用的存储器Р抗辐射,卫星,航天飞机?(Science 246,1440,1989)?96K EEPROM 嵌入式雷达预警接收器?96K EEPROM 电子计数测量接收器?8M EEPROM 可移动座仓计录器?36M SRAM 或EEPROM 主体计算机(SRAM)?16K EEPROM 导弹存储器?200M Bubble 存储器飞行事故记录器Р铁电存储器应用Р1999年美国军用支持减少。?FeRAM 应用转移到商用。?1999年:4-64Kbit Smart card 代替 EEPROM?2000-2001年Mbit 代替SRAM, DRAM , Flash 存储器?铁电存储器(NvFRAM)嵌入硅微控制器(a single chip)?嵌入器件可用于家用电器(洗衣机,洗碗机,干燥器,烘烤炉)?存储密度中等。大的市场:4 Mbit 数码相机,256Mbit 音頻存储器?Sony 游戏站 PS2 (2003)Р1988-1998数字存储器(cost/bit-access time)
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