第4章 双极结型三极管及放大电路基础课件

双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р半导体三极管图片Р4/3/2018Р5Р上海电力学院电力系Р4.1.2 放大状态下BJT的工作原理Р第4章双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。РBJT的放大条件: 发射结正偏,集电结反偏。? 对NPN管:VC > VB > VE? 对PNP管:VC < VB < VEР4/3/2018Р6Р上海电力学院电力系Р4.1.2 放大状态下BJT的工作原理Р第4章双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р1、以 NPN型三极管的放大状态为例,说明三极管内部的载流子传输过程。Р发射结正向偏置,发射区多子电子向基区扩散,形成发射极电流IE。Р基区的掺杂浓度低。基区多子空穴向发射区的扩散运动数量小,可忽略。Р(1)发射区向基区注入电子Р4/3/2018Р7Р上海电力学院电力系Р4.1.2 放大状态下BJT的工作原理Р第4章双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р(2)电子在基区的扩散与复合Р基区的空穴浓度低,进入基区的电子复合的很少。基区很薄,大部分电子继续扩散到集电结的边缘上。在基区被复合的电子形成基极电流 IB。Р4/3/2018Р8Р上海电力学院电力系Р4.1.2 放大状态下BJT的工作原理Р第4章双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р(3)集电区收集扩散过来的电子Р扩散到集电结边缘的电子,被反向偏置的集电结所收集,形成集电极电流IC。? 集电区少子空穴漂移产生的电流ICBO很小,可忽略。Р4/3/2018Р9Р上海电力学院电力系Р4.1.2 放大状态下BJT的工作原理Р第4章双极结型三极管及放大电路基础 4.1半导体三极管Р2. 电流分配关系РICBO 很小,可忽略。Р可得如下电流关系式:Р4/3/2018Р10Р上海电力学院电力系