(完整)关于介质损耗的一些基本概念

完整)关于介质损耗的一些基本概念РР第二节如何用KD9000做不拆高压引线的CVT自激法测量试验及电位Р用KD9000做CVT自激法测量非常方便，可按下图接线。如果C是单节电容，母线不能接地;如果C是多Р11节电容，高压引线可不拆，母线也可接地，C和C可用常规正反接线测量，C和C用自激法测量。Р1112132Р一、接线方法如下图：РKD9000母线—T—士РРР二、测量过程及电位Рcvt自激法测量中，仪器先测量q3，然后自动倒线测量C2,并自动校准分压影响.Р测C时，高压线芯线和屏蔽带高压，C线芯线和屏蔽都是低压。Р13XР测C时，高压线芯线和屏蔽、C线芯线和屏蔽都是低压.Р2XР三、为什么先测量C13，再测量C2Р大家知道,C电容量较小，约2万pF;c电容量较大，至少4万pF;C为50pF标准电容器。测量CР132N13Р时，C和内C串连当作标准电容器，根据电容串联公式C串=(CC)/(C+C),由于C»C,C*~C,这样C对Р2N2N2N2N串N2Р测量结果影响较小，可忽略不计。反之，如果先测C,因C容量较小，和内C串连后，会把C的介损加进去，Р1313N13Р造成标准臂介损增大，引起C2介损减小，造成测量误差。Р四、自激法时高压线拖地会引起介损增大Р自激法时高压线应悬空不能接触地面，否则其对地附加介损会引起介损增大，可用细电缆连接高压Р插座与CVT试品并吊起。РРР（完整）关于介质损耗的一些基本概念РР(完整)关于介质损耗的一些基本概念РРKD9000Р芯绽和屏融РIkРР上图左框内为电缆拖地时附加杂散电容的RC串联模型，使&点的电压U超前变成U',相应的I变成NNNРI',1相位不变，造成&角增大，既介质损耗增大。感兴趣的用户也可用公式推导出来。РNxРРР（完整）关于介质损耗的一些基本概念РР(完整)关于介质损耗的一些基本概念РР第三节BR16标准电容器的试验方法