、SO2引脚连在一起输出状态检测信号，当功率管正常时，信号为高，异常时，输出为低电平。РРРР图5 SD315A典型应用电路Р为防止因关断速度太快在IGBT的集电极上产生很高的反电动势，在门极输出 端采用如图所示的电路结构实现开通和关断速度的不同。开通时门极电阻为3.4Ω，关断时电阻为6.8Ω，二极管采用快恢 复型这样就使关断速度下降到安全水平。图中Rth与Rg前者为关断电阻，后者为开通电阻。使用这种 结构的电路可以实现开通和关断的速度的不一样，增加了用户使用的灵活性。РРР3.3．SD315A的过流保护РSD315A的过流保护机制和EXB841稍微有所不同，它们都是通过判断IGBT集电极和源极之间的电压Uce来判断是否过流。但是两者处理方法不一样，EXB841采用的是软关断方法。而SD315A是由IGD单元直接发出过流保护信号给控制回路进行处理，同时РРSD315A发出封锁信号封锁输出，保护IGBT。封锁时间大约有1s左右，其过流保护动态阀值电压可以很方便地通过改变外接参考电阻Rth来调整。Р4．M57959L/M57962L厚膜驱动电路Р4.1．M57959L驱动芯片的部特性及其原理РM57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源（+15V，- 10V）供电，输出负偏压为-10V，输入输出电平与TTL电平兼容，配有短 路/过载保护和 封闭性短路保护功能，同时具有延时保护特性。其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的IGBT。M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时，驱动效果和各项性能表现优良，但当其工作在高频下时，其脉冲前后沿变的较差，即信号的最大传输宽度受到限制。且厚膜部采用印刷电路板设计，散热不是很好，容易因过热造成部器件的烧毁。РРР图6 M57959L部原理示意图
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