是静电放电引起的元器件的突变失效和潜在失效,并进而造成整机性能的下降或失效。所以,静电防护和控制的主要目的应是控制静电放电,亦即防止静电放电的发生或将静电放电的能量降至所有敏感器件的损伤阈值之下。从原则上说静电防护应从控制静电的产生和控制静电的消散两方面进行,控制静电产生主要是控制工艺过程和工艺过程中材料的选择;控制静电的消散则主要是快速而安全地将静电泄放和中和;两者共同作用的结果就有可能使静电电平不超过安全限度,达到静电防护的目的。2.3.2基本思路和技术途径静电放电会对器件造成损害,但通过采取正确和适当的静电防护和控制措施,建立静电防护系统,那么就可以消除或控制静电放电的发生,使其对元器件的损害降至最小。对静电敏感器件进行静电防护和控制的基本思想有两条:(1对可能产生接地的地方要防止静电的聚集,及采取一定的措施,避免或减少静电放电的产生,或采取“边产生边泄漏”的方法达到消除电荷积聚的目的,将静电荷控制在不致引起产生危害的程度。(2对已存在的电荷积聚,迅速可靠地消除掉。所以生产过程中静电防护的核心是“静电消除”。为此可建立一个静电完全工作区,即通过使用各种防静电制品和器材,采用各种防静电措施,使区域内的可能产生的静电电压保持在对最敏感器件安全的阈值下。其基本途径有:(1工艺控制法旨在使生产过程中尽量少产生静电荷.为此应从工艺流程、材料选择、设备安装和操作管理等方面采取措施,控制静电的产生和积聚,抑制静电电位和静电放电的能力,使之不超过危害的程度。如在半导体制造过程中,当高速器件的浅结形成工序完成后,对冲洗用的去离子水的电阻率就必须控制。虽然电阻率越高,洁净效果越好,但电阻率越高。绝缘性越越好,在芯片上产生的静电就越高。因此一般要控制在略高于8MΩ的水平,而不能是初始工序用的16-17MΩ。还有在材料选择上,包装材料要采用防静电材料,尽量避免未经处理的高分子材料。(2泄漏法
全文预览
