可与石油媲美. Р我们拥有年产量为五百万瓦的生产能力, 通过增设位于美国密执根州奥本山的新的产品设施, 我们的年产量已提高到三千万瓦. 该厂为全自动化作业, 在非晶硅镀膜流程中, 可同时对六卷, 各为1.5英里长的不锈钢基材进行镀膜. Р第二章薄膜与薄膜太阳电池Р1 CdS薄膜与Cu2S/CdS太阳电池Р РCu2S/CdS是一种廉价太阳电池,它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。因此,在70-80年代曾引起国内外广大光伏科研者的广泛兴趣,以空前热情进行研究。在烧结体Cu2JCdS太阳电池研究的基础上,70年代开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。Р1.1 CdS薄膜电池性质Р1) CdS薄膜结构特性Р CdS是非常重要的:Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜具有纤锌矿结构,是直接带隙材料,带隙较宽,为2.42eV。实验证明,由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关,还与薄膜形成的方式有关。Р2) CdS薄膜光学性质Р CdS薄膜广泛应用于太阳电池窗口层,并作为n型层,与p型材料形成p-n结,从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响,特别是对电池转换效率有很大影响。Р 一般认为,窗口层对光激发载流子是死层,其原因是,(1)CdS层高度惨杂,因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分;(2)由于CdS层内缺陷密度较高,空穴扩散长度非常短,如果耗尽区没有电场,载流子收集无效。Р 因此减少缺陷密度,可使扩散长度增加,能在CdS层内收集到更多的光激发载流子。Р3 )CdS簿膜电学特性Р 一般而言,本征CdS薄膜的串联电阻很高,不利于做窗口层,在300℃-350℃之间,将In扩散入CdS中,把本征CdS变成n-CdS,电导率可达102Ω-1cm-1左右。对CdS热处理也能使电导率增加108Ω-1cm-1的量级。
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