N阱CMOS

区寄生MOS管的工作РB 重掺杂场区是横向寄生期间失效而一直了闩锁效应:РC 场区重掺杂将是局部的阱区电极接触表面的金—半接触特性有所改善。Р综合9,10两个步骤如图Р 光刻胶РP-SiРN-РB+Р11、局部氧化:Р 第三次氧化,生长场区氧化层。Р12、剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。Р综合11,,12两个步骤如图Р P-SiРN-Р13、热氧化生长栅氧化层:第四次氧化。Р14、N沟MOS管沟道区光刻:第四次光刻,以光刻胶做掩蔽层。Р15、N沟MOS管沟道区注入:第四次注入,该过程要求调解N沟MOS管的开启电压。Р综合13,14,15三个步骤如图РP-SiРN-РP+Р16、生长多晶硅。Р17、刻蚀多晶硅栅:第五次光刻,形成NР沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区。Р综合16,17两个步骤如图Р 多晶硅РP-SiРN-Р18、涂覆光刻胶。Р19、刻蚀P沟MOS管区域的胶膜:第六次光刻Р20、注入参杂P沟MOS管区域:第五次注入,形成CMOS管的源区和漏区。综合18.19.20三个步骤如图РP-SiРN-РBР21、涂覆光刻胶。Р22、刻蚀N沟MOS管区域的胶膜:第七次光刻Р23、注入参杂N沟MOS管区域:第六次注入,形成N沟MOS管的源区和漏区。24、生长磷硅玻璃PSG。Р综合21.22.23.24四个步骤如图Р光刻胶РP-SiРN-РB+РPSGРP-SiРP+РN-+Р25、引线孔光刻:第八次光刻,如图РB+РB+РN--РN-РN-РN-РN-РPSGРP-SiРP+РN阱РB+РB+Р26、真空蒸铝。Р27、铝电极反刻:第九次光刻Р综合26.27两个步骤如图РN阱РB+РB+РP+РP+РPSGРP-SiРP+РVDDРINРOUTРPРNРSРDРDРSРAlР至此典型的N阱硅栅CMOS反相器单元的管芯制造工艺流程就完成了。