这是物理原理决定了的。为了降低成本而基于CMOS工艺进行改进而开发出的高压工艺,它必须好好利用CMOS工艺在器件density方面的优势来降低成本,则必须将高压器件也尽可能做小,为此人们也是想尽办法,借用STI做成对称结构也好,只在drain端而不在source端用扩散做成非对称结构也好,但其耐压的一个必要因素仍然逃不脱利用高温扩散形成一个浓度梯度/结分布,从这一点上讲,高压器件都是广义的D(diffused)MOS。如果用CMOS HV工艺做超过30V的MOS器件,性能和散热要求恐怕使MOS器件不得不变得很大,就失去了用经典CMOS工艺的成本优势。而经典的BCD工艺由于必须要做高性能高压BJT器件,这类器件的面积目前还没有听说有很好的方法来缩小,故高压(即使到100V以上)MOS器件的大小对整个IC面积而言其实没有那么敏感,器件结构设计和制作工艺开发上也就没必要搞那么多创新了,用经典的DD(double diffused)MOS结构开发起来既快又可靠,性能也不错,何乐不为Р.........................................................................................................................................Р1.LDMOS,即横向双扩散金属-氧化物-半导体, 一般N-LDMOS比较常见,是通过源的N+和下面的P-共同扩散来形成沟道的,由于沟道与正常的MOS管没什么区别,所以开启电压可以做到与普通MOS差不多, 另外,LDMOS一般用于高压功率电路,通过漂移区低的搀杂浓度来承受漏端高的电压;Р2. LDMOS为什么可以承受高压: 因为漂移区低搀杂的存在,LDMOS大部分电压都会降落在此区域,从而保证沟道处电压较低,那么如何实现LDMOS的
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