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半导体三极管β值测量仪__课程设计论文正文

上传者:菩提 |  格式:doc  |  页数:28 |  大小:0KB

文档介绍
0K ? R4=510 ? R5=R6=R7=R8=30K ? 3.1.2 、工作原理和功能说明: 用于把不能直接用仪器测量的 NPN 型三极管?值转换成可以直接被测量的集电极电压,再把电压采样放大,为下一级电压比较电路提供采样电压,其中包括提供恒定电流的微电流源电路和起放大隔离的差动放大电路。 3.1.3 、器件说明: 3.2 、基准电压产生电压比较电路 3.2.1 、模块电路及参数计算 Vi 7 7 2 6 (1 ) ( ) 2 6 Vcc o P i i i R R V V V v Vcc v R R ? ? ??????? 10 因为 V0 =β IB R4 , IB =30uA, R4 =500 ?所以β= 80, Vi= 1.2V β=120 , Vi=1.8V β= 160 , Vi= 2.4V β=200 , Vi=3V 根据串联电路的计算可得: R13:R12:R11:R10:R9=1.2:0.6:0.6:0.6:2; =6:3:3:3:10 故取 R13 =6K Ω R12 = R11= R10=3K Ω R9 =56K Ω 3.2.2 、工作原理和功能说明: 由于被测量的物理量要分三档(即?值分别为 50~80、80~120 及120 ~180 ,对应的分档编号分别是 1、2、3)所以还要考虑到少于 50,和大于 180 的状况,于是比较电路需要把结果分成五个层次。需要四个基准电压,于是有一个串联电阻网络产生四个不同的基准电压,再用四个运算放大器组成的比较电路,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较,对应某一定值 oU ,相应的一个比较电路输出为高电平,其余比较器输出为低电平。 3.2.3 、器件说明: 用到芯片: LM324

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