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TRIAC的设计应用案例-20131220.

上传者:菩提 |  格式:pptx  |  页数:25 |  大小:1684KB

文档介绍
1235H-6I产品而言,? 它是高结温产品,与普通产品不同,? 它的结温极限高达150℃,即使在元? 器件表面温度达到120℃时, 它还? 能正常工作。Р3.2 热应力Р7РTRIAC的应用设计Р在电气设计中如果在可控硅两端施加了过高的电压和过大的电流或过高的di/dt,就有?可能会导致失效。Р在可控硅关断时,如果来自电网的电压?(比如说打雷)超过可控硅可承受的耐压,? 则晶圆的外层会被熔化。(参考右图一)Р表现为A1和A2之间短路或正反向耐压失效Р在可控硅关断瞬间(特别对于感性负载),?如果尖峰电压过高,也会导致可控硅在金?属层边缘上穿通,有时也会在角落上。见右图二:Р表现为A1和A2之间短路Р图一Р图二Р3.3 电气应力(一)Р8РTRIAC的应用设计Р在电气设计中如果在可控硅两端施加了? 过大的瞬间电流,会导致晶圆严重损毁。? 见右图三。Р 表现为A1和A2之间? 或者A1和G之间或者A2和G之间短路? 或开路。见右图三Р3.3 电气应力(二)Р图三Р在电气设计中如果在可控硅两端施加了? 过高的di/dt,会导致靠近控制极的金属? 层穿通,见右图四。? ? 表现为A1和A2之间短路或正反向耐压失效。Р图四Р9РTRIAC的应用设计Р因过压而致, 应选耐压高的可控硅产品或在可控? 硅A1和A2之间加压敏电阻。РVTРVmainsРLOADРVDRРVTРITРVmainsРRРCР因过高dv/dt所致,应选耐dv/dt高的可控硅? 产品或在可控硅A1和A2之间加RC吸收网络。Р4. 失效预防Р因过高瞬态电流所致,应选ITSM高的可控硅产品或施加保护电路,有分立元器件和IC两? 种,目前ST也有推出类似产品,08Р因机械应力所致,则应重新看下作业过程中螺批的扭力是否符合供应商推荐值。Р因热应力所致, 则应重新计算散热器的面积和选择高结温产品。Р10РTRIAC的应用设计

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