刻（光刻发射区）→磷预扩散→磷再扩散（发射区扩散） → 去氧化膜→ 沉积保护层→光刻（光刻接触孔）→金属化→光刻（光刻接触电极）→参数检测РР设计要求Р1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则?2．根据设计指标选取材料，确定材料参数，如发射区掺杂浓度NE, 基区掺杂浓度NB,集电区掺杂浓度NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。?3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射极宽度We和扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等。РР设计要求Р4．根据扩散结深Xjc, 发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。?5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的 图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 ?6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。?7．撰写设计报告РР晶体管设计过程，实际上就是根据现有的工艺水平，材料水平，设计水平和手段以及所掌握的晶体管的有关基本理论，将用户提出的或预期要得到的技术指标或功能要求，变成一个可实施的具体方案的过程。РРР确定基区、发射区、集电区的杂质浓度Р确定基区宽度Р验证值是否符合设计要求，不合要求重新确定以上参数Р计算扩散结深Xjc, Xje以及基区、发射区面积Р计算基区和发射区分别所需的扩散时间，氧化层厚度、氧化时间Р全面验证各种参数是否符合要求Р确定各区的少子寿命，扩散系数，扩散长度РР1.材料结构常数设计Р确定材料参数，如发射区掺杂浓度NE, 基区掺杂浓度NB,集电区掺杂浓度NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。?（根据寿命-掺杂浓度图，扩散长度-掺杂浓度图? 迁移率-掺杂浓度图）查РР由击穿电压VCBO确定N C，也可根据公式计算，
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