微电子器件基础题

交流小信号参数与等效电路Р15)PN结的开关特性与少子存储效应Р3、双极型晶体管Р1)双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图Р2)基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算Р3)共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算Р4)基区渡越时间的概念及计算Р5)缓变基区晶体管的特点Р6)小电流时电流放大系数的下降Р7)发射区重掺杂效应Р8)晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图Р9)基区宽度调变效应Р10)晶体管各种反向电流的定义与测量Р11)晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应Р12)方块电阻的概念及计算Р13)晶体管的小信号参数Р14)晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素Р15)高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算,影响功率增益的主要因素Р4、绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)Р1)MOSFET的类型与基本结构Р2)MOSFET的工作原理Р3)MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应Р4)MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程Р5)MOSFET的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算Р6)MOSFET的直流输出特性曲线图Р7)MOSFET的有效沟道长度调制效应Р8)MOSFET的直流参数及其温度特性Р9)MOSFET的各种击穿电压Р10)MOSFET的小信号参数Р11)MOSFET跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素Р12)MOSFET的高频等效电路及其频率特性Р13)MOSFET的主要寄生参数Р14)MOSFET的最高工作频率的定义与计算、影响最高工作频率的主要因素Р15)MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施Р三、题型及分值Р填空题:35% Р简述题:40%Р计算题:25%