提供一定厚度和高度的势垒(d)造成一点深度和宽度的势阱。(a) (b) (c) (d) 不考虑界面态时, 突变反型异质结能带图。突变异质结是指从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡只发生在几个原子距离范围内的半导体异质结。?在未形成异质结前, p型半导体费米能级与 n型半导体费米能级不在同一水平当紧密接触形成异质结时, 电子将从 n型半导体流向 p 型半导体,同时空穴在于电子相反的方向流动,直至两块半导体的费米能级处于同一能级,形成异质结。?两块半导体材料交界处形成空间电荷区(即势垒区或耗尽层), n型半导体为正空间电荷区, p型半导体一边为负空间电荷区,因不考虑界面态,势垒区中正空间电荷数等于负空间电荷数。能带发生了弯曲。 n型半导体的导带底和价带顶的弯曲量为 qV D2,而导带底在交界面处形成一向上的“尖峰”。P型半导体的导带底和价带顶的弯曲量为 qV D1,而导带底在交界面处形成一向下的“凹口”;能带在交界面处不连续,有一个突变。两种半导体的导带底在交界面处的突变量为 21c?????E价带顶的突变量为 cgEE EEE?????????)()( 211gg2 v??由此有 1g2g vcEEEEE g???????两种半导体形成异质结后,其内建电势为: 21 1??????? cg biEEV 运用同质结一样的耗尽层近似,可以得出内建电势在 P型区和 N型区中的分量: biA D D biVNN N V 12 21????? biAD A biVNN N V 12 12?????在反向偏压或小正向偏压( V< Vbi )情形, P型区和 N型区中的耗尽层宽度公司与同质结相同,分别是???? 2 112 211-2???????? ADD biANNqN VVNx???????? 2 112 21 1-2???????? AD D bi ANNqN VVNx????
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