的箭头方向可以区分是 N沟道还是 P沟道。图3-32 结型场效应管(a)内部结构(b)符号(c)实物图 2.工作原理一、结型场效应管以N沟道结型场效应管为例: 当输入电压 U GS改变时, PN结的反向电压随之改变,两个 PN 结的耗尽层将改变,导致导电沟道的宽度改变,沟道的电阻大小随之改变,从而使电流 I D发生改变。即, U GS起着控制沟道电阻、从而控制漏极电流 I D大小的作用。图3-33 结型场效应管工作原理(a)U GS=0 (b)U GS<0 (c)沟道被夹断一、结型场效应管 3.特性曲线—转移特性当U GS=0时, i D最大,称为饱和漏电流 I DSS,随着 u GS向负值方向逐渐变化,则管子沟道电阻加大, i D逐渐减小,当 u GS到达夹断电压 U P 时, i D=0 , 管子截止。 2)1( P GS DSS DU uIi??图3-34 N 沟道结型场效应管特性曲线(a)转移特性(b)输出特性一、结型场效应管 3.特性曲线—输出特性输出特性可分为三个区: ①可变电阻区②恒流区③夹断区二、绝缘栅场效应管 1.符号和分类 MOS 管除漏、源、栅三个电极外,还有一个衬底极 B,其上箭头指向内为 N沟道,称为 NMOS 场效应管。箭头指向外为 P沟道,称为PMOS 场应效管。绝缘栅型场效应管,输入电阻可高达 10 12以上。由于它具有金属( M)—氧化物( O)—半导体(S)的结构, 故又称它为 MOS 管。二、绝缘栅场效应管 1.符号和分类增强型 MOS 管: 0? GSu时不存在导电沟道,源极 S至漏极 D用虚线。耗尽型 MOS 管: 0? GSu时已存在导电沟道,源极 S至漏极 D用实线。 2.结构和工作原理二、绝缘栅场效应管以N沟道增强型 MOS 场效应管为例, 使用时,常将衬底极与源极相连。 2.结构和工作原理二、绝缘栅场效应管
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