?3) 刃位错滑移时没有离子移动,因而露头处的有效电荷不改变符号。РS1在(r,θ)处的应力场为τθ2=Gb1/2πr,S2在此应力场中受力:?fr=τθzb2=Gb1b2/2πr (1-15)?fr的方向为矢径r的方向。同理,S1也受到S2的应力场作用,大小与fr相等,方向相反。?当b1与b2同向(同号位错)时,fr>0,为斥力;若b1与b2反向(异号位错),则fr<0,为吸力。Р(2) 两个平行刃位错之间的作用力:在坐标原点及(x,y)处有两个平行于z轴的同号刃位错,其柏氏矢量?b1,b2都与x轴平行。?由于两个位错位于?平行于O-xz平面的?滑移面上, 所以在?b1位错的应力场中,?只有τyx和σxx对b2?位错有作用(1-9)。Рτyx使b2位错受到沿x轴方向的滑移力:?fx=τyxb2=Gb1b2x(x2-y2)/2π(1-ν)(x2+y2)2? (1-16)?σxx使b2位错受到沿y轴方向的攀移力:?fy=-σxxb2?=Gb1b2y(3x2+y2)/2π(1-ν)(x2+y2)2 (1-17)?fx和fy都以指向坐标轴正向为正。Рfx是引起滑移的力。?fy是使b2位错沿y轴攀移的力。当两个位错同号时,相互作用力为斥力,两个位错在y轴方向远离;当两个位错异号时,相互作用力为吸力,两个位错在y轴方向上靠近,(进而相接而消失)。Р1.2.3.7 位错的增殖、塞积与交割?(1) 位错的增殖:晶体中的位错数量在一定条件下会自发增多,称之为位错增殖,能使位错增殖的地方称为增殖源。?位错增殖有多种机制,其中最重要的是Frank-Read源,间称F-R源。Р如图,滑移面上的位错CD的两端分别与位错AC,BD相接,因?为AC,BD不在滑移面?上,所以难以运动。于?是C,D两点成了固定节?点。当外加切应力τ作?用时,CD将受到作用力?f=τb的作用,但因为两?端固定而只能向前弯曲
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