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北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路

上传者:塑料瓶子 |  格式:doc  |  页数:8 |  大小:166KB

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求、及ICEO。解:,而则2-17.某放大电路中双极型晶体管3个电极的电流如题2-17图所示。已测出。试分析A,B,C中哪个是基极、发射极?该管的为多大?题2-17图解:由于,所以A为集电极,B为基极,C为发射极。2-18.一个结型场效应管的转移特性曲线如题2-18图所示。试问:(1)它是N沟道还是P沟道的场效应管?(2)它的夹断电压UGS(off)和饱和漏电流各是多少?题2-18图解:为N沟道结型场效应管,如图所示夹断电压UGS(off)=-4V,饱和漏电流=3mA。2-19.1个MOS场效应管的转移特性如题2-19图所示(其中漏电流的方向是它的实际方向),试问:(1)是耗尽型还是增强型?(2)是N沟道还是P沟道?(3)从这个转移特性曲线上可求出该场效应管的什么参数?其值是多大?题2-19图解:为P沟道增强型MOS管,可求出UGS(th)UGS(th)=-4V2-20电路如题2-20图所示,管子T的输出特性曲线如图所示,Rd=5kΩ,试分析输入uI为0、8、10V三种情况下,uO分别是多少?解:(1)当uI=0,即uGS=0,管子处于夹断状态,所以iD=0,则uO=uDS=VDD-iDRD=15V。(2)当uI=8V,即uGS=8V,从输出特性可知,管子工作在恒流区,且iD=1mA,则uO=uDS=VDD-iDRD=15-5=10V(3)当uI=10V,即uGS=10V,假设管子工作在恒流区,从图上可知iD≈2mA因而可求出,uO=uDS=VDD-iDRD=15-10=5V。但是由图可知当uGS=10VUGS(th)=4V,当uGS=10V有uDS=uGS-UGS(th)=10-4=6V,可看到此时漏源之间实际电压小于uGS=10V时的预夹断电压,说明管子已不工作在恒流区,而是工作在可变电阻区。从输出特性曲线上取一个点uDS=3V,iD≈1mA,可得漏源间的等效电阻为所以

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