最大约几百纳米),重离子在栅介质中诱发的离化损伤可能引起辐射致漏电流(RILC)、辐射致软击穿(RSB)、单次栅断裂(SEGR)或潜在损伤的产生,微剂量效应是重离子撞击产生的,较之TID损伤,它以更为局部的方式引起充电和缺陷生成。总剂量效应抗瞬态辐照加固技术:1.体硅CMOS采用外延层技术和特殊设计技术2.SOI工艺比体硅器件抗瞬态辐射性能好,但TID较弱,因此,需要增加与体硅相同的抗电离总剂量加固技术总剂量效应商用工艺线实现加固:1.对指标为l00 krad(Si) MOS ICs,可以通过加固设计采用商用生产线生产2.在0.8um CMOS工艺线采用特殊的加固设计技术后,门阵列芯片的总剂量容限超过了l00 krad(Si),无单粒子闭锁现象发生,单粒子翻转的LET阈值大于50MeV/(mg/cm2)3.龙芯在ST0.18um工艺生成了基于三模冗余的抗100krad(Si)的加固芯片单粒子效应单粒子效应(SEE):是指高能带电粒子在穿过微电子器件的灵敏区时,沉积能量,产生足够数量的电荷,这些电荷被器件电极收集后,造成器件逻辑状态的非正常改变或器件损坏单粒子翻转(SEU)、单粒子闩锁(SEL)、单粒子烧毁(SEB)、单粒子瞬态脉冲(SET)、单粒子功能中断(SEFI)单粒子效应单粒子效应(SEE)加固:工艺级、系统级、电路级、版图级各层次上进行。双阱工艺,降低栅氧化层的厚度,增加P阱和N衬底的掺杂浓度以及降低外延层厚度SOI工艺,由于衬底绝缘特性,自然具有抗SEL的特性单粒子效应单粒子效应(SEE)加固:工艺级、系统级、电路级、版图级各层次上进行。系统级可以采用三模冗余、软件容错、差错控制(EDAC)等电路级可以采用各种抗辐射单元:DICE存储单元、ROCK单元、WHIT单元、LIU单元、HIT单元、HAD单元等版图级:隔离、加大间距、版级的容错等单粒子效应抗辐射单元结构:
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