光电子技术第2章光辐射的调制新编

量,使探测光成为调制光。调制光并配上合适的有源带通滤波器,以克服杂散光的干扰。斩波器有源带通滤波器探测器输出的光电流设计有源带通滤波器, f 0为方波频率。通频带△f窄,杂散光被滤去。优点:容易实现;能对辐射的任何光谱成分进行调制。缺点:有运动部分,寿命较短,体积较大,调制频率不高。一些机械调制装置 2.2 电光调制在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。适用于单色光源。一、电光效应线性电光效应(Pockels ) 二次电光效应(Kerr ) 介质原本是单轴晶体。介质原本是各向同性晶体。电光调制基于线性电光效应。 n E ?? 2 n E ?? 63?1. 的纵向电光效应 KDP 负单轴晶体切Z强电场 E//Z 轴,KDP 变为双轴晶体; 线偏振光沿 Z轴入射,分解成 X、Y 方向上振幅相同的两个线偏振光。光传播方向与电场方向一致与X轴对应的主折射率: Ennn 63 302 101???与Y轴对应的主折射率: Ennn 63 302 102???式中, n o为KDP 晶体 o光折射率, 为电光系数。 63?X、Y方向两偏振光射出晶体时有光程差: 3 3 2 1 0 63 0 63 ( ) n n L n EL n U ? ??? ???则相位差为: 3 0 63 2 2 n U ? ?? ?? ?? ??半波电压: 32 0 63 2 Un ????造成光程差 2/??????/ 2U ?2. 的横向电光效应 63?光传播方向与电场方向垂直对KDP 晶体采用 45°-Z切。强电场 E//Z 轴,KDP 变为双轴晶体。入射光沿 X轴方向进入晶体,其偏振方向与 Z、Y成45°,在晶体中分解为 Z、Y 方向两个振幅相同的线偏振光。