数字电路讲义-第三章课件

极管饱和,应满足 iB > IB(sat)Р因为 iB =РIHРBР-0.7 VРUРRР所以求得 RB < 29 k，可取标称值 27 k。РOРuIРtРUIHРUILР+5 VРР(2) 对应输入波形画出输出波形РOРuIРtРUIHРUILР可见，该电路在输入低电平时输出高电平，输入高电平时输出低电平，因此构成三极管非门。由于输出信号与输入信号反相，故又称三极管反相器。Р三极管截止时，?iC  0，uO  +5 VР三极管饱和时，?uO  UCE(sat)  0.3 VРOРuO/VРtР5Р0. 3РРIC(sat)РOРOРOРuIРiCРuOРtРtРtРUIHРUILРVCCРUCE(sat)Р上例中三极管反相器的工作波形是理想波形，实际波形为 ：РuI 从 UIL 正跳到 UIH 时，三极管将由截止转变为饱和，? iC 从 0 逐渐增大到 IC(sat)，uC 从 VCC 逐渐减小为 UCE(sat)。РuI 从 UIH 负跳到时 UIL，三极管不能很快由饱和转变为截止，而需要经过一段时间才能退出饱和区。Р二、三极管的动态开关特性РРIC(sat)РOРOРOРuIРiCРuOРtРtРtРUIHРUILРVCCРUCE(sat)Р0.9IC(sat)РtonР0.1IC(sat)РtoffРuI 正跳变到 iC 上升到 ? 0.9IC(sat) 所需的时间 ton 称为三极管开通时间。Р通常工作频率不高时，可忽略开关时间，而工作频率高时，必须考虑开关速度是否合适，否则导致不能正常工作。РuI 负跳变到 iC 下降到 ? 0.1IC(sat) 所需的时间 toff 称为三极管关断时间。 通常? toff > tonР二、三极管的动态开关特性Р开关时间主要由于电荷存储效应引起，要提高开关速度，必须降低三极管饱和深度，加速基区存储电荷的消散。