maF 甋 and Coaangs Techn01Р400V1200VР ogy19957677Part2645654Р测试了离子束流密度,其大小取决于离子源的工作 JiraiangYah, , a1NuclearIn-Р参数,当放电电压为婵斩任.籮 81ruments and Methods Physics Section 篈Р时,测得的离子束流密度约为 macmz25 eelemtorsSpectrometersDetectorsand rump-Р蝐。采用五栅网测试的离子能量表明,当放电 merit2004531(3)341345Р650V严一心,林鸿海.薄膜技术.北京:兵器工业出版社,Р 1994106Р600到,呈理想的线性变化趋势。Р 饶雨生,唐敦乙,刘效增,等.西安交通大学学报,Р480。离子源引出的离子Р ,:—Р200Р 潘永强,朱昌,陈智利,等.真空科学与技术学报,Р相当均匀的离子束密度,在±。的测量范围内,均Р 200323(1)5760Р可以得到一定强度的离子束密度。这样大的发散尤大伟,任荆学,黄小刚,等.真空科学与技术学报,Р角,在的镀膜机内只需一台就可以满足实际需 200424(4)279282Р要。本文还对电子中和器的电子发射特性进行了研[15]200534(3)477480Р究,其电子发射能力取决于中和器灯丝电流和负偏徐均琪,刘鹤玲,蔡长龙,等.西安工业大学学报,Р压大小,但对负偏压更加显著。中和器的引入,基本 200222(2)112115Р消除了真空室内的打火现象,使高质量的薄膜制备琄 YKamiyaTeta1Nuclear andР Methods S(-,tiollР得到了保障。了解和掌握离子源的这些工作特性和 Physics 篈琒Р ll'OIlrsDetectorsand 啪Р参数,就可以根据实际需要,对镀膜过程的微观环境Р —:
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