性以及抗噪声性能都比普通二极管好得多。一些常见的肖特基二极管的型号参数: 常用的有引线式肖特基二极管有 D80-004 、MBR2535 等型号(见下表) 2.2 宽紧带半导体材料近些年来,新兴的宽禁带半导体材料的研究格外引人注目。宽禁带半导体材料具有很多突出特点。不仅热导率高而且击穿电压高。介电常数低而且电子饱和速率大,这就保证了其较广泛的适用范围。通常称禁带宽度 Eg大于 2.2ev 的半导体材料称为宽禁带半导体材料。即导带底到价带顶的距离要满足不小于 2.2ev 。从目前关于宽禁带半导体的研究来看,碳化硅是最为成熟的半导体材料。近些年俩, 氮化镓技术有很大突破,氮化铝技术也有很大长进,它们在光电器件中的应用意义深远。而金刚石和氧化锌等,虽然目前研究上扔存在巨大突破障碍,但其发展前景广阔, 具备很大潜力。 2.2.1 常见宽禁带半导体材料碳化硅单晶材料: 从技术成熟的角度来说,碳化硅材料是材料中最突出的。甚至可以说碳化硅材料是宽禁带半导体材料的核心。 SiC 材料是 IV-IV 族半导体化合物。宽禁带 Eg=3.2eV 。高击穿电场 4×106V/cm 。高热导率 4.9W/cm.k 。从结构上讲, SiC 材料属于硅碳原子对密排结构。目前应用最广泛的是 4H和6H晶型。4H-Si 适用于微电子领域,用于制备高频、高温、大功率器件; 6H-SiC 适用于光电子领域,用于实现全彩显示。总之, SiC 材料的发展将直接影响宽禁带技术的发展。金刚石材料: 金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料。其单位体积键能很大, 使它比其他材料硬度都高,是已知材料中硬度最高。此外,金刚石材料的禁带宽度很大。热导率高。介电常数小。节电强度高等特点。金刚石是目前最有发展前途的半导体材料。传统的用于工具材料(切割玻璃)是我们再熟悉不过的了。但同时在微电子等电子器件领域同样具备不可估量的应用空间。
全文预览
