等离子体刻蚀10

物少(2)可以实现各向异性刻蚀(3)工艺兼容性好:刻蚀、沉积、掺杂缺点:(1)成本高.'.........(2)机理过程复杂,技术难度高(3)器件损伤大等离子体刻蚀技术☼刻蚀指标要求片间、片内均匀性----各向异性-----图形高保真高刻蚀速率----线宽损失高选择比-----刻蚀速率比低损伤☼刻蚀技术的趋势:单片工艺大片化(为什么要大片化?)1980早期100to1501980晚期150to2001990末期200to3002009450原因:提高效率,降低成本微细化19971999200120032006200920120.250.180.150.130.10.070.05亚微米,深亚微米铜线工艺多层互连1997,6层----->2002,9层低损伤☼刻蚀等离子体源的发展趋势低气压----------大片化高密度---------高速率------>ECR,ICP,HELICON,SWP大面积均匀---脉冲-----.'.........☼各类材料/结构刻蚀微电子硅----------mono,poly,doped,undoped介质刻蚀---氧化物刻蚀,氮氧化物金属刻蚀----铝,钨,钼光胶掩膜---光电子II-VI,III-V半导体材料,石英光波导激光器腔面、光栅、镜面(对于刻蚀表面的光滑度、形状控制要求较高)微机电硅高刻蚀速率刻蚀形状☼等离子体刻蚀中的各种效应、影响(1)宏观负载效应(macro-loadingeffect).'.........刻蚀速率(nm/s)刻蚀面积(cm2)原因:♦单位时间到达单位刻蚀面的反应粒子数量大于反应所需要的粒子刻蚀速率由刻蚀反应速度决定刻蚀面积增加♦单位时间到达单位刻蚀面的反应粒子数量小于反应所需要的粒子刻蚀速率由反应粒子通量决定----->反应粒子数量不足解决方法:(2)微观负载效应(micro-loadingeffect)