Ch04集成电路器件工艺

LSINMOSD,NMOS,MOS,SCFLVLSICMOSD,P/N-MOS,MOS,SCFLULSI,GSISiliconBiCMOSD,BJT,P/N-MOS,R,CECL,CMOSVLSI,ULSI硅Si/GeD,HBT/HEMTECL/SCFLLSIMESFETD,MESFET,R,C,LSCFLLSI,VLSIGaAsHEMTD,E/D-HEMT,R,C,LSCFLLSI,VLSI砷化镓HBTD,HBT,R,C,LECL,CMLMSI,LSIInPHEMTD,HEMT,R,C,LSCFL,CMLMSI磷化铟HBTD,HBT,R,C,LECL,CMLMSI2图4.1几种IC工艺速度功耗区位图34.1双极型集成电路的基本制造工艺4.2MESFET和HEMT工艺4.3MOS工艺和相关的VLSI工艺4.4BiCMOS工艺44.1.1双极性硅工艺„早期的双极性硅工艺:NPN三极管BECMetalSiO2pn+n+1pn-Isolation2pn-Isolationp+n-p+n+3BuriedLayerp-图4.25„先进的双极性硅工艺:NPN三极管1.426758图4.264.1.2HBT工艺„GaAs基同质结双极性晶体管并不具有令人满意的性能Vo<IswRLgmτL7AlGaAs/GaAs基异质结双极性晶体管○○○EBC(a)(b)图4.3GaAsHBT的剖面图(a)和能带结构(b)8„GaAs基HBT„InP基HBT„Si/SiGe的HBT94.2MESFET和HEMT工艺随着III/V化合物特别是GaAs工艺的发展,以MESFET和HEMT为基本元件的集成电路技术也得到了很大发展。MESFET直接在外延衬底上形成,而HEMT有复杂得多的层状结构。尽管如此,它们可以通过一个相似的等效电路建立模型,并具有相似的性能。对于电路设计者而言,它们都属于FET晶体管类型。10