?离子注入杂质分布:浓度随深度表达式、结深计算、总注入剂量计算、与硅背面束流关系、横向效应?离子注入的沟道效应、解决措施?注入损伤:晶格损伤和无定形层、杂质未激活?退火修复:传统热退火(扩散效应)、快速热退火(RTA)?浅结的形成:低能量大束流离子注入+RTAР第五、六章薄膜沉积Р化学气相沉积:APCVD、LPCVD、PECVD、MOCVD?CVD工艺条件、原理、生长动力学、质量输运控制、表面反应控制、台阶覆盖性、薄膜内应力、各种CVD工艺特点?多晶硅薄膜特点、用途、制备工艺?CVD SiO2(PSG、BPSG)特点、用途、制备工艺?氮化硅薄膜与SiO2比较,特点、用途、制备工艺?物理气相沉积:热蒸发、电子束蒸发、溅射、直流溅射、射频溅射、反应溅射、磁控溅射、准直溅射Р光刻工艺的重要性及洁净度概念?光刻工艺流程(七步,目的、方法、影响因素)?分辨率的概念及影响因素?光刻胶的基本属性及对分辨率的影响?曝光光源,曝光方式及其对分辨率的影响?掩膜版的制备及移相掩膜原理?电子束曝光、X射线曝光及光刻的未来发展趋势?湿法刻蚀和干法刻蚀的原理及优缺点Р第八章光刻与刻蚀РIC中金属性材料的分类和作用?铝在IC中的应用(优、缺点)?铜在IC中的应用(优、缺点,双大马士革工艺)?Ti,W等金属在IC中的应用?多晶硅的作用及其优势?金属硅化物在IC中的应用(自对准硅化物工艺)?ULSI中采用多层互连工艺的意义?多层互连工艺流程(流程图、基本结构)?IC中的CMP平坦化工艺Р第九章金属化与多层互联Р第十章光刻与刻蚀РMOS集成电路中的隔离? LOCOS工艺,改进的LOCOS工艺,浅槽隔离?双极型集成电路中的隔离? pn结隔离,深槽隔离?CMOS集成电路中的基本模块?阱(单阱、双阱、自对准双阱)?栅电极(多晶硅栅、金属栅和高k栅介质层)?源漏结构(轻掺杂源漏结构LDD)?接触层(自对准硅化物工艺)
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