006690.00337-7.309268976实验数据的整理并画出P型半导体曲线图5lnR,1/TH此曲线包括四个部分:T,83.7KT,150K第一部分为至,这是杂质电离饱和区,所有的杂质都已经电离,载Pp,,n流子浓度保持不变。R,0型半导体中,在这段区域内有。本实验中测得到的H3杂质电离饱和区的霍耳系数为。R,0.00149m/CHT,150KT,180K第二部分为至(即反转点),这时,随着温度逐渐升高,价带上的电2b,1子开始激发到导带,由于电子迁移率大于空穴迁移率,即,当温度升高到时,pnb,R,0有,如果取对数就会出现图中凹陷下去的奇异点。HT,180KTK,215第三部分为至,即当温度再升高时,更多的电子从价带激发到导带,2R,0RRpnN,,而使,随后将会达到一个极值。此时,价带的空穴数(其pnb,HHHMA3N中表示受主杂质提供的空穴数),实验中测得的(此时的温度R,,0.008008m/CAHMTK,215为)。TK,215T,296.5K第四部分为至,即当温度继续升高时,到达本征激发范围内,载流子浓度远远超过受主的浓度,霍耳系数与导带中电子浓度成反比。因此,随着温度的上升,曲线基本上按指数下降。五:实验结论及误差分析5.1实验结论:本实验采用范德堡测试方法,通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度1,,的变化,得到了实验上的曲线(图5),并结合理论分析了曲线中各区间的物R,lnH,,T,,理意义。5.2误差分析:1:爱廷豪森效应引起的误差不可消除;2:调节温度过程中读取某一温度值时刻的电压时存在误差;3:转动磁铁改变方向的时候存在小误差;4:仪器本身精度有限引起误差虽然这些误差对于实验的结果可能会有微小的影响,但是从整体上来说,这次实验的误差不算很大,在正常的范围之内。参考文献:熊俊主编《近代物理实验》,北京师范大学出版社,2007年8月版
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