主的硅片生产已成为国际公认的事实,为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。从高技术应用领域到传统产业,特别是一些重大工程如三峡、特高压、高铁、西气东输等,乃至照明和家电等,硅半导体器件都起到了至关重要的作用。由此可见,硅电力电子器件待开发的应用空间仍旧十分广阔,市场前景仍较好。但是,硅电力电子器件本身的技术、制造工艺发展空间已经不太大了,硅基电力电子器件的水平已基本上稳定在109~1010W·Hz左右,逼近了由于寄生二极管制约所能达到的Si材料极限。而SiC和GaN宽禁带电力电子器件则由于其突出的优势,代表着电力电子器件领域未来的发展方向。因为宽禁带器件的使用还不够成熟,且在价格上宽禁带器件并没有优势,而且考虑到安全性、市场使用惯性,完全接受宽禁带器件还需要一定的时间。预计在未来至少十年内,Si器件仍然会主导功率电子市场。参考文献:[1]钱照明,张军明,盛况.电力电子器件及其应用现状和发展[J].中国电机工程报,2014,,34(29):5149-5151.[2]王兆安,刘进军.电力电子技术[M].北京:机械工业出版社,2009:10-39.[3]朱梓悦,秦海鸿.宽禁带半导体器件研究现状与展望[J].电气工程学报,2016,11(1):1-11.[4]王俊,李清辉,邓林峰,等.高压SiC晶闸管在UHVDC的应用前景[C].中国高校电力电子与电力传动学术年会,2015.[5]曹峻松,徐儒,郭伟玲.第3代半导体氮化镓功率器件的发展现状和展望[J].新材料产业,2015(10):31-38.[6]李迪,贾利芳,何志,等.GaN基SBD功率器件研究进展[J].微纳电子技术,2014,51(5):277-285,296.教育之通病是教用脑的人不用手,不教用手的人用脑,所以一无所能。教育革命的对策是手脑联盟,结果是手与脑的力量都可以大到不可思议。
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