能利用外加电压或外电路作用使晶闸管的电流降到维持电流以下;寄生二极管:在漏极和源极之间由P区、N-漂移区和N+区形成的与MOSFET反并联的二极管,使得在源、漏极间加反向电压时器件导通;擎住效应:IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管,与作为主开关器件的P+NP-晶体管组成了寄生晶闸管。NPN晶体管基射极间的体区电阻上,P区的横向电流会产生一定压降,相当于在NPN基射极加一个正向偏置电压。当集电极电流大到一定程度时,此电压使NPN晶体管导通,进而使NPN和PNP型晶体管互锁,进入饱和状态,于是寄生晶闸管开通,栅极失去控制作用。产生原因:集电极通态连续电流大于临界值(静态)关断时,内部MOSFET关断迅速,总电流很快下降,主电路分布电感在IGBT集射极上产生高压,电压上升率大,在J2结电容上产生充电电流(位移电流)CJ2dUce/dt,流过电阻Rbr时,产生正向偏置电压,使寄生晶闸管满足开通条件(动态)温度升高加重危险虽然电力MOSFET是场控器件,静态时几乎不需要输入电流,但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动功率。开关频率越高,需要的驱动功率越大。加正向电压时,为正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过。若正向电压超过临界值,即正向转折电压,则漏电流急剧增大,器件迅速开通。随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。此为硬开通。反向电压超过一定的限度,到反向击穿电压后,外电路如不采取措施,则反向漏电流急剧增大,导致晶闸管发热损坏。电力MOSFET特性:工作频率高;驱动功率小;无二次击穿现象;安全工作区宽;压控型,输入阻抗高,输入电流小;IGBT特性和参数特点:开关速度高,开关损耗小;在相同电压和电流定额时,安全工作区SOA比GTR大,且具有耐脉冲电流冲击能力;通态压降比VDMOSFET低,特别大电流时;输入阻抗高;在保持高开关频率同时,耐压和通流能力还能进一步提高;
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