答:MOS管会产生热噪声和1/f噪声,负载电阻R会产生热噪声,并且各种噪声是非相关的。,。因此输出总噪声:共源级放大器的增益:输入总噪声:带隙基准电路的设计摘要:基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。目前,基准电压源被广泛应用在高精度比较器、A/D和D/A转换器、动态随机存取存储器等集成电路中。它产生的基准电压精度、温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片,甚至整个控制系统的性能。因此,设计一个高性能的基准电压源具有十分重要的意义。自1971年RobertWidla提出带隙基准电压源技术以后,由于带隙基准电压源电路具有相对其他类型基准电压源的低温度系数、低电源电压,以及可以与标准CMOS工艺兼容的特点,所以在模拟集成电路中很快得到广泛研究和应用。一设计指标:温度系数:2、电压系数:二、带隙基准电路结构图6参考电路图性能指标分析如果将两个具有相反温度系数(TCs)的量以适合的权重相加,那么结果就会显示出零温度系数。在零温度系数下,会产生一个对温度变化保持恒定的量VREF。VREF=a1VBE+a2VT㏑(n)其中,VREF为基准电压,VBE为双极型三极管的基极-发射极正偏电压,VT为热电压。对于a1和a2的选择,因为室温下,然而,所以我们可以选择令a1=1,选择a2lnn使得,也就是,表明零温度系数的基准为:对于带隙基准电路的分析,主要是在Cadence环境下进行瞬态分析、dc扫描分析。各器件参数Mp1(nvp)1/5Mn1(nvn)3/5Mp2(nvp)1/5Mn2(nvn)3/5Mp3(nvp)1/5Mn3(nvn)3/5Mp4(nvp)1/5Mn4(nvn)3/5Mp5(nvp)1/5Q1(pnp10)1Mp6(nvp)1/5Q2(pnp10)8R020kQ3(pnp10)1R1220K1、瞬态分析电源电压Vdd=5v时,Vref≈1.2378V,下图为瞬态分析图。
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