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晶体硅太阳电池产业化技术发展与展望(毕业设计论文doc)

上传者:徐小白 |  格式:doc  |  页数:17 |  大小:0KB

文档介绍
且通过现有装备已经在实验室实现,但如何降低制造成本是该技术产业化过程中所面临的主要挑战[8]。目前国内某些大公司对外宣传的超过17.6%以上的高效电池其技术核心均来源于此,相信随着配套装备与辅助材料的及时解决近二年内将会迅速普及与推广。Р在制造工艺上采用氮气携带三氯氧磷管式高温扩散是目前主流生产技术,其特点是产量大、工艺成熟操作简单。随着电池向大尺寸、超薄化方向发展以及低的表面杂质浓度(表面方块电阻80~120Ω/口、均匀性±3%以内),减压扩散技术(LYDOP)优势非常明显,工艺中低的杂质源饱和蒸气压、提高了杂质的分子自由程,它对156尺寸的硅片每批次产量400片的情况下其扩散均匀性仍优于±3%,是高品质扩散的首选与环境友好型的生产方式。链式扩散设备不仅适应Inline自动化生产方式,而且处理硅片尺寸几乎不受限制、碎片率大大降低而迅速受到重视,其工艺有喷涂磷酸水溶液扩散与丝网印刷磷浆料扩散二种。在链式扩散技术上,BTU、SCHMID以及中电集团第48所均已有长时间的研究及工业化应用,只要能在扩散质量上获得突破其一定会取代目前管式扩散成为主流生产装备与技术。Р4.3去边技术Р 产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽,但与国外情况相反,据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术,因此该方法有待进一步研究[4]。目前行业出现的另外一种技术——化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集刻蚀与去PSG一体,背面绒面的抛光极大降低了入射光的透射损失、提高电池红光响应。该方法工艺简单、易于实现inline自动化生产,不存在“钻刻”与刻蚀不均匀现象,工艺相对稳定,因此尽管配套设备昂贵但仍引起业内广泛关注。

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