浓度对吸杂效应的研究中发现,即便对高浓度的衬第材料,经吸杂也能够获得较大的少子扩散长度(大于 200 微米) ,电池的开路电压大于 638mv, 转换效率超过 17%。(2)背表面场的形成及铝吸杂技术在Mc—Si电池中,背p+p 结由均匀扩散铝或硼形成,硼源一般为 BN、BBr 、 APCVD SiO 2:B 2O 8 等,铝扩散为蒸发或丝网印刷铝, 800 度下烧结所完成,对铝吸杂的作用也开展了大量的研究,与磷扩散吸杂不同,铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积,而在较高温度下,沉积的杂质易于溶解进入硅中,对 Mc—Si 产生不利的影响。到目前为至,区域背场已应用于单晶硅电池工艺中,但在多晶硅中,还是应用全铝背表面场结构。(3)双面 Mc—Si电池 Mc—Si双面电池其正面为常规结构,背面为 N+和 P+相互交叉的结构,这样,正面光照产生的但位于背面附近的光生少子可由背电极有效吸收。背电极作为对正面电极的有效补充,也作为一个独立的栽流子收集器对背面光照和散射光产生作用,据报道,在 AM1.5 条件下,转换效率超过 19%。无锡职业技术学院毕业设计说明书(英文翻译) -8- 4.表面和体钝化技术对于 Mc—Si ,因存在较高的晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要,除前面提到的吸杂技术外,钝化工艺有多种方法,通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法,可使 Si-SiO 2界面的复合速度大大下降,其钝化效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电子、空穴的浮获截面。在氢气氛中退火可使钝化效果更加明显。采用 PECVD 淀积氮化硅近期正面十分有效,因为在成膜的过程中具有加氢的效果。该工艺也可应用于规模化生产中。应用 Remote PECVD Si 3N 4可使表面复合速度小于 20cm/s 。
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