这样构成了 CMOS 电路内与晶闸管类似的 PNPN 四层结构,形成了两个寄生的 NPN 和 PNP 双极晶体管。在 CMOS 电路正常工作状态时, 寄生晶体管处于截止状态。对 CMOS 电路的工作没有影响, 如 CMOS 电路的输入端、输出瑞、电源端或者地端受到外来的浪涌电压或电流,就有可能使两只寄生晶体管都正向导通, 使得电源和地之间出现强电流。这种强电流一开始流动,即使除去外来触发信号也不会中断,只有关断电源或将电源电压降到某个值以下才能解除,这种现象就是 CMOS 电路的闩锁效应。 5.13 静电损伤处于不同静电电位的两个物体间发生的静电电荷转移就形成了静电放电,这种静电放电将给电子元器件带来损伤,引起产品失效。电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式,突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后,突然完全丧失其规定的功能,主要表现为开路、短路或参数严重漂移;潜在性失效是指静电放电电能量较低,仅在元器件内部造成轻微损伤, 放电后元器件的电参数仍然合格或略有变化,但元器件的抗过电应力能力已明显削弱, 或者使用寿命已明显缩短, 再受到工作应力或经过一段时间工作后将进一步退化,直至造成彻底失效。静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。过电压场致失效是指高阻抗的静电放电回路中, 绝缘介质两端的电极因接受了高静电放电电荷而呈现高电压,有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场,使电极之间的介质发生击穿失效, 过电压场致失效多发生于 MOS 元器件,包括含有 MOS 电容的双极型电路和混合电路;过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中,由于静电放电电流过大使局部区域温升超过材料的熔点,导致材料发生局部熔融使元器件失效,过电流热致失效多发生于双极元器件,包括输人用 PN 结二极管保护的 MOS 电路、肖特基二极管以及含有双极元器件的混合电路。
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