壳质量 9、-4~4℃, 22~ 28℃,8~ 15h , 72h 10 、变窄较大的展宽较小的 11 、厚度均匀度平行度 12、{ 111 } 13 、熔化挥发穿孔 14 、蒸发蒸发物溅射 15 、温度时间收缩率气体二、判断题 1、×2、√3、×4、×5、√ 6、√7、√8、√9、× 10、√ 11√ 12× 13× 14√ 15× 三、选择题 1、A2、B3、C4、C5、B 6、A7、C8、B9、B 10、A 11、ABBA 12、B 13、B 14、A 15、C 四、简答题 1、((1 )金属球径:控制在金属丝直径的 2~3倍(2 )劈刀压力:保证压焊的直径为金丝直径的 3~ 3.5 倍(3 )底盘和劈刀的温度在 340 ℃(4 )压焊时间: 0.5 ~ 2s (5 )保证劈刀和焊盘区的洁净度(6 )焊盘区的金属化层厚度与质量 2、厚膜基片是指在陶瓷基片上制作好厚膜导体电阻网络的基片,其制作工艺过程如图 3、 1) 根据被测量的大小选择合适的测量范围,即仪器的测量范围要和被测量相适应,一般仪器的最佳测量区域在测量范围中间,两头最差 2) 根据被测量的精度选择,一般原则为仪器精度比被测量高 3~10 倍 3) 仪器要在计量有效期内使用 4) 选择合适的测量速度 5) 考虑对样品的影响,如接触测量或非接触测量 6) 考虑测量成本 4、 1) 焊接强度应符合设计要求 2) 焊剂的化学性能稳定,不会形成有害的化合物,且导电或导热性能好 3) 芯片、外壳底座的芯腔或引线框架的芯片焊区和装片材料三者的线膨胀系数应能相匹配 4) 装片材料应具有较低的蒸汽压、热处理(固化)温度不影响芯片表面金属化、钝、扩散、欧姆接触等性能 5) 装片质量可靠,并且检验方法简易可行 5、 TO、 DIP 、 SIP 、 PGA 、 SOT 、 BGA 、 QFP 、 QFJ() 、 SOP 、 SOJ
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