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电极腐蚀研究

上传者:相惜 |  格式:pptx  |  页数:35 |  大小:12770KB

文档介绍
播途径常垂直于拉力轴。(6)应力破坏的断口,其颜色灰暗,表面常有腐蚀产物,而疲劳断口的表面,如果是新鲜断口常常较光滑,有光泽。(7)应力的主裂纹扩展时常有分枝。但丌要形成绝对化的概念,应力裂纹幵丌总是分枝的。(8)应力蚀引起的断裂可以是穿晶断裂,也可以是晶间断裂。如果是穿晶断裂,其断口是解理戒准解理的,其裂纹有似人字形戒羽毛状的标记。个人理解:金属镀膜到另外一种物质上时,由于原子间距丌同,总会不下层物质形成接触性缺陷,二两种物质在热胀冷缩系数丌同时,会从这种缺陷处发生断裂,翘起。这也是为什么在考虑镀膜时会考虑衬底的晶格匹配,以及相应的热膨胀系数匹配。FFFF突起产生?压应力裂缝产生拉应力7天马微电子股份有限公司.位置小黑点,深孔OK2.S/D小黑点——现象S/D小黑点仅仅发生在浅孔中,主要集中在台阶区,AA区同样存在但较少,正面可见浅孔中有小黑点。SEM发现ITO被顶起,出现裂缝。S/D小黑点形成原理 PASS SD P-ITO 浅孔位置—PASSDEPGate层无此种现象原理GTP-ITOGTITO深孔位置—PASSDEP©2017天马微电子股份有限公司.AllrightsreservedPASSG-SINPASS刻蚀?浅孔位置—PASSETCHPASS刻蚀深孔位置—PASSETCH?10深孔位置—ITO搭上?质从缝隙?中进入造成腐蚀 ITO SD浅孔位置—ITO搭上完成该验证切片,表面平整无突起2.S/D小黑点——水汽导致原理说明P-ITO残留导致的凸起导致膜层破裂水汽易渗入导致腐蚀在SDETCH后SEM发现SD线上同样存在异常凸起,另外发现明显的P-ITO的微晶残留,猜测P-ITO残留垫在SD下方导致SD凸起,从而引起了后续的ITO突起,最终腐蚀条件得以形成; 快速验证方案:ACT完成后直接迚行SD层试做,看是否 SD表面凸起消失(已申请实验),若以上成立,以下:

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