?基本操作?异常处理Р3Р基本原理РPECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition? 等离子增强化学气相沉积?等离子体:气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态,这种形态就称为等离子态即第四态。Р直流溅射Р射频溅射Р磁控溅射Р离子束溅射Р真空?蒸发Р溅射?沉积Р离子镀Р物理气相沉积?(PVD)Р电阻加热Р感应加热Р电子束加热Р激光加热Р直流二极型离子镀Р射频放电离子镀Р等离子体离子镀Р基本原理Р5Р工作原理? 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑Р 利用低温等离子体作能量源,利用一定方式使硅片升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在硅片表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。Р基本原理Р7РPECVD种类:Р基本原理Р间接式—基片不接触激发电极(如2.45GHz微波激发等离子)Р8Р基本原理РPECVD种类:Р直接式—基片位于电极上,直接接触等离子体(低频放电10-500kHz或高频13.56MHz)РPECVDР直接法Р间接法Р管式PECVD系统Р板式PECVD系统Р微波法Р直流法РCentrotherm、四十八所、七星华创Р日本岛津РRoth&RauРOTBР基本原理Р10РPECVD 的作用Р在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射。Р氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。Р基本原理
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