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电流,导致静电敏感器件内部发生热崩溃、金属层熔融、介电质崩溃、表面崩溃,而使元件功能失效(永久损坏)。因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使元器件受损,即使仍可工作,但是寿命及性能大大受损,导致性能退化/潜伏故障。上述三种情况中,若元器安全损坏,则可在生产检验中检测出来,影响较小;但若元器性能劣化,是很难检测出来,继而导致很多潜在性的故障,降低品质,影响公司声誉,客户不满退货等。挚负窟屎囚翟避萨胡僧敏胡炭枝银芜蕴创疡镊润打囱星囤螺落钵哺僻腾窟ESD知识培训ESD知识培训哪些元器件对静电比较敏感?中国军标(GJB1649-93)《电子产品防静电放电控制大纲》中将元器件对静电的敏感程度分为三级。I级:敏感电压范围0~1999V微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大1GHz的检测二极管)、离散型MOS场效应管、声表面波(SAWF)器件、结型场效应晶体(JFET)、Ds)、精密稳压二极管、运算放大器(OPAMPs)、薄膜电阻器、集成电路、超高速集成电路(VHSIC)、晶体闸流管(SCR)等。II级:敏感电压范围2000~3999VMOS场效应管、结型场效应晶体管(JEET)、运算放大器、集成电IC、超高速集成电路(VHSIC)、精密电阻网络、低功率双极型晶体管等。III级:敏感电压范围4000~15999VMOS场效应管、运算放大器、集成电路IC、超高速集成电路(VHSIC)、小信号二极管、普通的硅整流器、晶体闸流管、低功率双极型晶体管、光电器件(发光二极管、光敏器件、光耦合器)、片状电阻器、压电晶体等。EVOC常用静电敏感器件:MOS场效应管、BGA芯片组、CPU、各种数字/模拟集成电路、二/三极管、整流桥、精密片状网络电阻电容、光电器件、晶闸管、集成电源模块等半导体器件。刺勺钠城龄炮纹殉旁庸颅覆捆底皇浮锰洼业蚤磨哥飞秽烂虐汰服核端盒逮ESD知识培训ESD知识培训