氧化层厚Xi=200Å.t*=1.62)=t*==1.62分=0.1116µm②45分湿O2,B=1.2×10-2µm2/min,A=0.05µm,t*===1.502分=1.502′XO湿(45′)==0.747µm③15分干O2t*===784′XO干2(15′)==0.774µm=7740Å3某一硅片上面已覆盖0.2µm厚的二氧化硅,现在需要在1200℃下用干氧再生长0.1µm厚的氧化层,问干氧氧化的时间需要多少?已知:X。=0.2µm,再O干长,XO干=0.1µm,T=1200℃求:生长0.2+0.1厚度SiO2所需t.解:Xi=0.2µmt*=′再长0.1µmXO总=0.3µmX。=t=′4.解:掩敝P扩的XOmin,T=1050℃,t=23′MOS管,。查阅P132图3-46,D=210-13cm2/s,Xmin=8.6×=16.6×10-6cm=16.6×10-5mm=16.6×10nm=1660Å1.某硅晶体管基区硼预淀积温度为950℃,要求预淀积后的方块电阻为120Ω/□,确定预淀积所需要的时间(取μp≈55cm2/V•s)解:Q0==9.47cm-2NS=1.6×1020cm-3D=5×10-15cm2/sQ0=2Nt==7.42×10=74min把D=9×10-15代入得,t=51min2.硅IC采用的n型外延片电阻率为0.4Ω•cm,要求基区硼扩散的结深为2μm,方块电阻为200Ω/□,现在采用两步扩散法,试分别确定硼预沉积和再分布的温度和时间。解:,由∴查依尔芬曲线得∵∴第一步取:t1=950℃,NS1=1.6×1020cm-3,D1=5×10-15cm2/s,Q0=2NS1,得:t1=()2=1.19×1005=1190.5s=20分第二步取:t2=1180℃,D2=1.2×10-12cm2/st2=()2=0.143×104=1430s=24分
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