完成,字迹工整,不能提交打印稿和复印稿,否则计零分Р一、写出下列英文缩写的中译文。(5×4′=20′)Р1. MEР2. SOC Р3. ASICР4. MOSFETР5. VLSIР二、选择题,少答错答均不得分。(5×8′=40′)Р1、下列属于元素半导体的是。Рa.碳化硅(SiC) b.铜(Cu) c.砷化镓(GaAs) d.磷化铟(InP)Р2、本征半导体,在温度升高时载流子发生本征激发,则。Рa.空穴浓度>电子浓度 b.电子浓度>空穴浓度Рc.载流子浓度不发生变化 d.电子空穴浓度都增加Р3、向硅中掺杂P,则得到的半导体类型为。Рa.N型半导体 b.P型半导体 c.补偿型半导体 d.非本征性半导体Р4、热扩散工艺中,需要掺杂的区域为图示,则光刻版与光刻胶的配合为。Рa.正版配合正胶 b.负版配合负胶 c.正版配合负胶 d.负版配合正胶Р5、对于PMOS器件来讲, 。Рa.衬底为N型材料 b.衬底为P型材料 c.低电平导通 d.高电平导通Р三、简答题(10′)Р众所周知,在集成电路发展史上, J.S.Kilby和Noyce都是集成电路发明者……Р(1)请分别简述他们发明的特点?Р(2)比较两个发明差别?Р四、综合题(30′)Р某公司研发新品ASIC流片失败,使用反向方法对芯片进行检查,发现版图出现错误!出错部位的版图在下面已经给出。Р已知此ASIC采用标准N-well CMOS工艺流程。Р请完成下面四个任务:Р(1)在图上标出n_well、 p_select、 n_select、 contact、 metal、 poly、active这7个层次。此小题请直接在答题纸上标出。10′Р(2)回答在此版图中发生了什么错误?5′Р(3)修改版图中的错误。此小题请直接在答题纸上修改。5′Р(4)画出这个版图对应的晶体管级电路图,并简单说明其工作原理。10′Р(出错部位版图照片)
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