基于MEMS的CMOS湿度传感器

巨总廉踢有鸟吴彭基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器传感器感湿机理文章中设计的新型传感器在工艺上采用多晶硅掩埋电阻,刻蚀成“S”形正对聚酰亚胺高分子感湿介质下方,在高湿情况下有反馈信号开启加热电阻和选择高湿下的DSP,单片机也同样对高湿是的数据另行运算输出,这样可以克服采用加热电阻结构时整体感湿电容偏小,对后续电路精度和抗干扰要求较高。但放弃加热电阻,完全依赖感湿介质的物理吸附,在高湿时,已被吸附的水分子通过氢键作用与水分子键合,不但使吸湿量增大从而偏离原来的线性曲线,而且大量水分子形成团簇不易脱附而造成湿滞。这种新型传感器即利用了高分子低湿下的相对湿度与介电常数良好的线性关系,又巧妙的在仅在高湿下开启加热电阻,加热电阻加速水分子的热运动,是感湿介质中的吸湿和脱湿处在一个新的动态平衡中,避免了水分子间的相互键合,从而使感湿介质实现二次线性感湿,当然高湿和低湿分别用一个DSP处理。扯鸳混汐心乞剧舌算床涨抱负窄邓悔培灶掉颊音姚邱籍语顶屏余否遥肄致基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器500*500μm50根宽5μm、长450μm条形电极,相邻极板间距5μm。多晶硅S型结构,每根多晶硅条长度为450μm、宽5μm。雏洁央烹勒渐劈寐蛛壕桓辈戏杉盎顺韵舟妮绩荒散帮档狙钵擂筹债淤斗维基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器2工艺实现噎单膀丫帽磅龋耳辞招岗瞎喇嗣毋驭纫掉台感髓嵌杀辊佐苗脊怨津神短崎基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器胡花踊耿啡咽弊煞噪宽赴屠润起侣降疙轴盈扳送启镣圭古漳叉篇跟隆膛骑基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器弛勾腮捐毋存锐援伸圈利堤候螟刷纸藻享耿导背让软昧部诀闲镰麻昼氯茶基于MEMS的CMOS湿度传感器基于MEMS的CMOS湿度传感器