cvd工艺介绍

附性好,台阶覆盖性能好。Р选择CVD反应剂的准则Р反应剂的纯度及蒸汽压必须足够高。?反应副产物必须是高挥发性的,不允许气态副产物进入淀积薄膜中?淀积物必须是稳定的化合物、固溶体或挥发性极低的物质,必须具有足够低的蒸汽压以保证整个淀积过程中薄膜能够始终留在衬底表面上?需考虑CVD反应的热力学、动力学、薄膜的结晶学等特性以及生产的安全性。РCVD类型РAP-CVD: 常压化学气相沉积法(Atmospheric Pressure CVD),操作压力在为760托。? LP-CVD: 低压化学气相沉积法(Low Pressure CVD),操作压力在0.1至1托。? SA-CVD: 亚大气压化学气相沉积法(Sub-atmospheric Pressure CVD),操作压力在200托。? PE-CVD: 电浆增强型化学气相沉积法(Plasma Enhance CVD),操作压力在1至10托之间。? HDP-CVD: 高密度电浆增强型化学气相沉积法(High Density Plasma enhance),操作压力在30m托以下。?MOCVD: 金属有机化学气相沉积(anic CVD)?W-CVD: 钨化学气相沉积? SOG: 旋涂玻璃(Spin on Glass) ?VPE-CVD: 气相外延型化学气相沉积法(Vapor Epitaxy) ?MBE: 分子束外延(Molecule Beam Epitaxy)РAPCVDРAP-CVD: 常压化学气相沉积法(Atmospheric Pressure CVD),操作压力为760托。目前主要分为两种反应类型:? SiH4 + O2  SiO2, 450 - 500 °C? TEOS + O3  SiO2, 400 - 500 °C? TEOS + O3 + P-source + B-source  SiO2 + P2O5 + B2O3