张耘 AKT CVD机台介绍Z

流片路径РCassetteРLL/ULРPCРTCРATM RobotРStockerРVacuum RobotРPortР2018/2/14РLoad ?lockРTransfer ?ChamberРProcess?ChamberРSubstrate TransferРINРOUTР2018/2/14РCVD成膜原理РCVD: Chemical Vapor Deposition? 化学气象沉积?是指利用热能、电浆放电或紫外光照射等形式的能源,使气态物质在固体表面上发生化学反应,并在该表面上沉积,形成稳定固态薄膜的过程。?化学反应式:? ɑ-si:H 反应方程式:SiH4+H2Р SiNx:SiH4+NH3+N2 Р n+ɑ-si:SiH4+H2/PH3РRF POWERРRF POWERРA-SiРSiNxРRF POWERРN+A-SiР2018/2/14РCVD设备的作用Р化学气象沉积(CVD)技术是半导体集成电路制程中极广泛的薄膜成长方法。诸如介电质、半导体、导体、太阳能电池等薄膜材料,几乎都能用CVD技术完成,在TFT产业,CVD主要用于闸极绝缘层(G-SiNx)、通电层(A-Si)、欧姆接触层(N+Si)和保护层(Passivation)的成膜。РG-SiNxРA-SiРN+SiР2018/2/14РPECVD简介РPECVD简介Р`气体在能量的作用下(如:加电、加热)部分或全部发生解离而形成高?能原子、正负离子、电子和气体分子的混合体。?`解离主要由高能电子完成,解离的主要模式为电子与气体分子碰撞Р何谓PlasmaР等离子体增强式化学气相沈积?Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition?通过高频交流电源提供高频振荡电子,增加电子和气体分子的碰撞几率,从而增大气体解离的效能,提高反应离子的浓度,提高成膜速度Р何谓PECVD